Mae China wedi cymryd cam mawr yn ei wthio i mewn i'r diwydiant IC cof. Mae tri chwmni Tseiniaidd mawr yn paratoi i gynhyrchu prawf DRAMs a NAND yn ail hanner 2018. Mae YMTC, Innotron (Hefei Chang Xin) a JHICC yn bwriadu dechrau cynhyrchu treial NAND Flash, DRAM symudol ac arbenigedd DRAM, yn y drefn honno, yn ail hanner 2018, yn ôl DRAMeXchange , adran o TrendForce . Bydd masgynhyrchu yn dilyn yn ystod hanner cyntaf 2019, gan nodi cynhyrchiad sglodion domestig cyntaf Tsieina.
Gosodwyd offer yn fab Innotron yn nhrydydd chwarter (Ch3) 2017, yn ôl DRAMeXchange, ond mae'r cwmni wedi gohirio cynhyrchu treial tan Ch3 2018, a fydd yn cael ei ddilyn gan masgynhyrchu yn ystod hanner cyntaf (1H) 2019.
Roedd JHICC, a oedd yn canolbwyntio ar arbenigedd DRAM, hefyd wedi gohirio ei gynhyrchiad treial tan Ch3 2018 a masgynhyrchu tan 1H 2019. Cyhoeddodd y cwmni ei gynllun ym mis Gorffennaf 2016 i fuddsoddi $ 5.3 biliwn mewn ffabrig wafer 12 modfedd newydd yn Jinjiang, Fujian Province.
Mae Innotron a JHICC ar ei hôl hi yn eu hamserlenni cyhoeddedig, adroddodd DRAMeXchange.
Gall Innotron wynebu heriau eraill. Nid yw gwylwyr y diwydiant yn credu y bydd gwneuthurwyr cof Tseiniaidd yn gallu datblygu technoleg uwch heb dorri ar batentau na ffurfio partneriaeth menter ar y cyd.
“Yn ôl pob golwg, mae Innotron eisiau cystadlu yn erbyn y prif gyflenwyr DRAM trwy ddewis sglodion LPDDR4 8Gb fel ei gynnyrch cyntaf, ond mae posibilrwydd cryf y bydd Innotron yn cael problemau posibl o ran torri patentau,” meddai DRAMeXchange. “Er mwyn osgoi dadleuon, bydd angen i Innotron gronni IPs sy'n cael eu cydnabod gan y cyfreithiau rhyngwladol. Dull mwy diogel arall yw gwerthu cynnyrch yn y farchnad ddomestig yn unig ar y dechrau. ”
Bydd lefelau gwario capex Samsung yn rhoi stop ar “ unrhyw obeithion sydd gan gwmnďau Tsieineaidd o ddod yn chwaraewyr sylweddol ym marchnadoedd fflach 3D neu DRAM 3D ,” a “dim ond gwarantu na fydd rhyw fath o fenter ar y cyd â swper cof presennol mawr, ychydig o gyfle sydd gan ddechreuwyr cof Tseiniaidd newydd i gystadlu ar yr un lefel â chyflenwyr blaenllaw heddiw, ”y llynedd, dywedodd Bill McLean, llywydd IC Insights.
“Hyd yn oed pe baent yn datblygu technoleg uwch ar eu pennau eu hunain, byddai'r cyflenwyr Tsieineaidd newydd bron yn sicr yn torri ar nifer o batentau DRAM a NAND a ddelir gan Samsung, SK Hynix, Micron, ac ati,” ychwanegodd.
Yn y segment fflach NAND, mae YMTC yn bwriadu adeiladu tri safle gweithgynhyrchu fflach 3D-NAND yn ddilyniannol mewn tri cham. Cwblhawyd y cam cyntaf ym mis Medi 2017 gyda gosod offer wedi'i drefnu yn nhrydydd chwarter 2018, ac yna cynhyrchu treial yn y pedwerydd chwarter, meddai DRAMeXchange. Bydd y planhigyn yn cynhyrchu Flash 32-haen MLC 3D-NAND. Ni ddisgwylir i ddechrau afiach fod yn fwy na 10,000 y mis.
“Bydd adeiladu'r planhigion ail a thrydydd cyfnod a'u cynlluniau cynhyrchu yn mynd rhagddynt yn unol â'r sefyllfa ar ôl i YMTC berffeithio ei gynllun 64-haen,” meddai DRAMeXchange.
